通过增强的性能，Alliance Memory推出的1.8V和3V SPI NAND闪存解决方案可以满足多媒体数据存储应用和人工智能（AI）实施的要求。

与DDR3 SDRAM相比，Alliance Memory发布的设备将工作电压从1.65V降低到+ 1.2V（±0.06V），从而延长了智能手机和平板电脑等便携式电子设备的电池寿命。

凭借1.1V / 1.8V的低压工作电压，Alliance Memory今天发布的设备可延长面向消费类和工业市场的便携式电子产品的电池寿命，包括平板电脑，可穿戴设备，手持游戏机，个人导航系统等。

除了先前宣布的M29F 5V并行NOR闪存设备之外，Alliance现在还转售美光的M45PE串行NOR闪存，N25Q串行NOR闪存，J3并行NOR闪存以及P30 / P33并行NOR闪存系列中的精选产品。

Toadere先生为Alliance Memory带来了超过25年的电子制造业经验，专注于半导体。他从Future Electronics来到公司，在那里他担任了罗马尼亚的国家经理13年——在罗马尼亚建立销售团队并